信息存储应用技术
  • 磁性隧道结的数据保存时间的获取方法和装置与流程
    本发明涉及电子领域,具体而言,涉及一种磁性隧道结的数据保存时间的获取方法和装置。近年来发展迅速的磁性随机存储器MRAM具有优异的特性,它克服了SRAM面积大,尺寸微缩后漏电大的缺点;克服了DRAM需要一直进行数据刷新,功耗大的缺点;相对Flashmemory来说读写时间和可读写次数优越几...
  • 一种晶圆测试方法与流程
    本发明涉及集成电路测试领域,特别涉及一种嵌入式闪存的晶圆测试方法。晶圆测试(CircuitProbing,CP)也称电路针测,在封装前直接在晶圆(wafer)上对芯片晶粒(die)进行测试,用于验证每个芯片是否符合产品规格。现有技术中为了减低测试成本,提高测试效率,需要不断增加测试同测数...
  • 存储器装置和存储器系统的制作方法
    本申请要求于2017年11月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0157040的权益,该申请公开的全文以引用方式并入本文中。本公开涉及存储器,并且更具体地说,涉及存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。易失性存储器是仅在装置通电时维护其数据的计算机存...
  • 传输电路、移位寄存器、栅极驱动器、显示面板、以及柔性基板的制作方法
    本发明涉及,传输电路、移位寄存器、栅极驱动器、显示面板、以及柔性基板。以往,广泛地采用多个像素电路配置为矩阵状而成的显示装置。在这样的显示装置中,利用按每行不同的定时的控制信号,按照行的顺序驱动多个像素电路,从而显示影像。每行的控制信号,例如,利用移位寄存器而被生成。专利文献1公开,能够作...
  • 存储器件的制作方法
    通过引用将于2018年1月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0002123的全部内容并入本文。实施例涉及一种存储器件。随着对具有相对高容量但具有小尺寸的存储器件的需求增加,已经积极地对具有垂直堆叠的存储单元的存储器件进行了研究。随着存储器件的集成度提高,垂...
  • 存储器系统及其操作方法与流程
    本申请要求于2018年1月8日提交的、申请号为10-2018-0002351的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。本公开的各个实施总体涉及一种存储器系统及其操作方法。特别地,实施例涉及一种能够防止用于存储数据的存储器装置中的读取干扰现象的存储器系统及存储器系统的操作方法。背景...
  • 存储器件的制作方法
    2018年1月8日在韩国知识产权局提交的名为“存储器件”的韩国专利申请No.10-2018-0002122通过引用的方式全文结合于本申请中。实施例涉及存储器件。存储器件是能够存储数据或输出数据的器件,用于各种领域。具体而言,在具有垂直结构的存储器件中存储数据的存储单元沿垂直方向堆叠...
  • 存储装置的制作方法
    本申请要求于2018年1月10日提交的韩国专利申请No.10-2018-0003475的优先权,其公开内容通过引用全部并入本文。本发明构思的示例性实施例涉及一种存储装置。半导体存储装置可以分类为易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储装置。易失性半导体存储装置在读取和写入方面是快速...
  • 由差动存储器胞组成的非易失性存储器的制作方法
    本发明涉及一种非易失性存储器,且特别涉及一种由差动存储器胞组成的非易失性存储器。请参照图1A,其所绘示为已知差动存储器胞示意图。差动存储器胞(differentialcell)c1中包括二个子存储器胞(sub-cell)cx、cy,且每个子存储器胞cx、cy中皆包括一浮动栅晶体管(flo...
  • 基于闪存的固态驱动器中的保持感知块映射的制作方法
    本申请要求于2018年1月10日提交的、名称为“基于闪存的SSD中的保持感知块映射”的临时申请62/615,839的优先权,该临时申请已转让给本申请的受让人并且其全部内容通过引用明确并入本文。本公开总体涉及基于闪存的固态驱动器中的保持感知块映射,并且更特别地,涉及一种具有提高的保持效率的存...
  • 操作减少读取干扰的电阻式存储设备的方法与流程
    本申请要求于2018年1月8日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0002140号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。本发明构思涉及非易失性存储设备,并且更具体地,涉及减少读取干扰的可能性的电阻式存储设备。本发明构思还涉及操作电阻式存储设备的方法。...
  • 可变电阻存储器件的制作方法
    本申请要求于2018年1月10日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0003413号韩国申请的优先权,其通过引用整体并入本文。各种实施例总体而言可以涉及可变电阻存储器件,更具体地,涉及能够防止由峰值电流引起的故障的可变电阻存储器件。半导体存储器件可以包括具有多个存储单元的一个或...
  • 一次写入多次读取的数据存储器件及系统的制作方法
    本发明涉及电子领域,具体而言,涉及一种一次写入多次读取的数据存储器件及系统。电子数据修改起来相对容易,并且不会留下太多修改痕迹。随着各机构越来越多地依赖电子数据,如何保护这些数据不被错误地修改变得越来越重要。为了保护电子数据不被修改,可以采用的一种方法是以单写多读(WORM)存储的方式来存...
  • 在不同读取模式之间切换的设备和读取存储器的方法与流程
    本申请要求2018年1月9日提交的意大利申请No.102018000000632的权益,该申请通过引用并入本文。本发明涉及用于在诸如相变存储器(PCM)之类的非易失性存储器的不同读取模式之间切换的设备,并且涉及用于读取非易失性存储器的对应方法。相变存储器(PCM)是新一代的非易失性...
  • 半导体存储器器件的制作方法
    于2017年12月20日提交的日本专利申请号为2017-243989的公开内容(包括说明书、附图和摘要)以整体内容通过引用并入本文。本发明涉及半导体存储器器件。更具体地,本发明适用于具有写入辅助电路的半导体存储器器件和包括这种半导体存储器器件的半导体器件。一些半导体器件包括易失性半导体存储...
  • 存储装置及包括该存储装置的存储系统的制作方法
    本申请要求2018年1月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0003474的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。一些示例实施例涉及存储装置和包括该存储装置的存储系统。为了在半导体芯片之间高速发送和接收数据,使用选通信号以允许正确地识别数据。因此,当在半...
  • 半导体器件的制作方法
    本申请要求于2018年1月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0002321的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。本发明的各种实施例总体而言涉及一种半导体器件。具体地,实施例涉及一种半导体存储器件。通常,诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器件可以...
  • 半导体存储装置的制作方法
    本发明涉及一种堆叠有多个裸片或芯片的半导体存储装置,尤其涉及一种搭载有串行外部接口(serialperipheralinterface,SPI)功能的闪速存储器。多芯片封装(multichippackage)是将多个相同种类或不同种类的裸片或芯片堆叠在一个封装内而成的,例如,可通过堆...
  • 用于单板配置和存储器阵列操作的设备和方法与流程
    本专利申请要求Bedeschi等人在2017年12月18日申请的标题为“单板配置和存储器阵列操作(SinglePlateConfigurationandMemoryArrayOperation)”的第15/845,893号美国专利申请的优先权,所述美国专利申请让渡给本受让人,且以全文引...
  • 脉冲积分器和存储器技术的制作方法
    本专利申请案要求由卡斯特罗(Castro)等在2017年11月22日申请的标题为“脉冲积分器和存储器技术”的第15/821,240号美国专利申请案的优先权,所述美国专利申请案让与给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。涉及脉冲积分器和存储器技术。下文大体上涉及操作存储...
技术分类